Джерела напруги віднесення - схеми

Джерела напруги віднесення - схеми

TL431BQDR

TL431BQDR

TEXAS INSTRUMENTS TL431BQDR | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,5%; SO8; ролик,cтрічка..

0.00 грн.

TL431BQLP

TL431BQLP

TEXAS INSTRUMENTS TL431BQLP | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,5%; TO92; розсипний..

0.00 грн.

TL431BQLPM

TL431BQLPM

TEXAS INSTRUMENTS TL431BQLPM | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,5%; TO92; 100мА..

0.00 грн.

TL431BQLPR

TL431BQLPR

TEXAS INSTRUMENTS TL431BQLPR | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,5%; TO92; ролик; 100мА..

0.00 грн.

TL431BQPK

TL431BQPK

TEXAS INSTRUMENTS TL431BQPK | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,5%; SOT89; 100мА..

0.00 грн.

TL431BS-13

TL431BS-13

DIODES INCORPORATED TL431BS-13 | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,5%; SO8; ролик,cтрічка..

0.00 грн.

TL431BSA-7

TL431BSA-7

DIODES INCORPORATED TL431BSA-7 | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,5%; SOT23; 100мА..

0.00 грн.

TL431BVDR2G

TL431BVDR2G

ONSEMI TL431BVDR2G | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,4%; SO8; ролик,cтрічка..

0.00 грн.

TL431BW5-7

TL431BW5-7

DIODES INCORPORATED TL431BW5-7 | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,5%; SOT25; 100мА..

0.00 грн.

TL431C

TL431C

TAEJIN TECHNOLOGY / HTC Korea TL431C | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±0,5%; TO92; розсипний..

0.00 грн.

TL431CCT

TL431CCT

STMicroelectronics TL431CCT | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±2%; SOT323-6L; 100мА..

0.00 грн.

TL431CD

TL431CD

TEXAS INSTRUMENTS TL431CD | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±2%; SO8; туба; 100мА; 75шт...

0.00 грн.

TL431CDBVR

TL431CDBVR

TEXAS INSTRUMENTS TL431CDBVR | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±2,2%; SOT23-5; 100мА..

0.00 грн.

TL431CDBVT

TL431CDBVT

TEXAS INSTRUMENTS TL431CDBVT | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±2,2%; SOT23-5; 100мА..

0.00 грн.

TL431CDBZR

TL431CDBZR

TEXAS INSTRUMENTS TL431CDBZR | IC: джерело еталонної напруги; 2,495В; ±2%; SOT23; ролик,cтрічка..

0.00 грн.

Показано з 1321 по 1335 із 1598 (107 сторінок)