Транзистори з каналом P SMD
SIA459EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA459EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -9А; Idm: -40А..
0.00 грн.
SIA461DJ-T1-GE3
VISHAY SIA461DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SIA469DJ-T1-GE3
VISHAY SIA469DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А..
0.00 грн.
SIA471DJ-T1-GE3
VISHAY SIA471DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -30,3А; Idm: -70А..
0.00 грн.
SIA477EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA477EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -12А; Idm: -50А..
0.00 грн.
SIA477EDJT-T1-GE3
VISHAY SIA477EDJT-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -12А; Idm: -50А..
0.00 грн.
SIA483ADJ-T1-GE3
VISHAY SIA483ADJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -60А..
0.00 грн.
SIA483DJ-T1-GE3
VISHAY SIA483DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12А; Idm: -40А..
0.00 грн.
SIA485DJ-T1-GE3
VISHAY SIA485DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -150В; -1,6А; Idm: -2А..
0.00 грн.
SIA811ADJ-T1-GE3
VISHAY SIA811ADJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; -20В..
0.00 грн.
SIA817EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA817EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; -30В..
0.00 грн.
SIA921EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA921EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -4,5А; Idm: -15А..
0.00 грн.
SIA929DJ-T1-GE3
VISHAY SIA929DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,5А; Idm: -15А..
0.00 грн.
SIA931DJ-T1-GE3
VISHAY SIA931DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -4,3А; Idm: -28А..
0.00 грн.
SIA975DJ-T1-GE3
VISHAY SIA975DJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -4,5А; Idm: -15А..
0.00 грн.