Транзистори з каналом P SMD
SISS27DN-T1-GE3
VISHAY SISS27DN-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -50А; Idm: -200А..
0.00 грн.
SISS61DN-T1-GE3
VISHAY SISS61DN-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -89,6А; 42,1Вт..
0.00 грн.
SISS63DN-T1-GE3
VISHAY SISS63DN-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -102А; Idm: -200А..
0.00 грн.
SISS65DN-T1-GE3
VISHAY SISS65DN-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; 75,2А; Idm: -120А..
0.00 грн.
SISS67DN-T1-GE3
VISHAY SISS67DN-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -60А; Idm: -120А..
0.00 грн.
SISS71DN-T1-GE3
VISHAY SISS71DN-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -23А; Idm: -40А; 36Вт..
0.00 грн.
SISS73DN-T1-GE3
VISHAY SISS73DN-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; ThunderFET; польовий; -150В; -12,9А; 42,1Вт..
0.00 грн.
SIUD401ED-T1-GE3
VISHAY SIUD401ED-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -0,5А; Idm: -1А..
0.00 грн.
SIUD403ED-T1-GE3
VISHAY SIUD403ED-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -0,5А; Idm: -0,8А..
0.00 грн.
SMMBFJ175LT1G
ONSEMI SMMBFJ175LT1G | Транзистор: P-JFET; польовий; -25В; -60мА; 225мВт; SOT23..
0.00 грн.
SMMBFJ177LT1G
ONSEMI SMMBFJ177LT1G | Транзистор: P-JFET; польовий; -25В; -20мА; 225мВт; SOT23..
0.00 грн.
SPB18P06PGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES SPB18P06PGATMA1 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 81,1Вт; PG-TO2..
0.00 грн.
SPB80P06PGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES SPB80P06PGATMA1 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-..
0.00 грн.
SPD04P10PGBTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES SPD04P10PGBTMA1 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4А; 38Вт; PG-TO252-3..
0.00 грн.
SPD04P10PLGBTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES SPD04P10PLGBTMA1 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -4,2А; 38Вт; PG-TO25..
0.00 грн.