Транзистори з каналом P SMD

Транзистори з каналом P SMD

SI3129DV-T1-GE3

SI3129DV-T1-GE3

VISHAY SI3129DV-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -5,4А; Idm: -20А..

0.00 грн.

SI3139KWA-TP

SI3139KWA-TP

MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI3139KWA-TP | Транзистор: P-MOSFET..

0.00 грн.

SI3139KWA-TP

SI3139KWA-TP

MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI3139KWA-TP | Транзистор: P-MOSFET; польовий..

0.00 грн.

SI3401A-TP

SI3401A-TP

MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI3401A-TP | Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -4,2А; Idm: -..

0.00 грн.

SI3407-TP

SI3407-TP

MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI3407-TP | Транзистор: P-MOSFET; польовий..

0.00 грн.

SI3407-TP

SI3407-TP

MICRO COMMERCIAL COMPONENTS SI3407-TP | Транзистор: P-MOSFET..

0.00 грн.

SI3407DV-T1-BE3

SI3407DV-T1-BE3

VISHAY SI3407DV-T1-BE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -8А; Idm: -25А..

0.00 грн.

SI3407DV-T1-GE3

SI3407DV-T1-GE3

VISHAY SI3407DV-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -8А; Idm: -25А; 4,2Вт; TSOP6..

0.00 грн.

SI3417DV-T1-GE3

SI3417DV-T1-GE3

VISHAY SI3417DV-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -8А; Idm: -50А..

0.00 грн.

SI3421DV-T1-GE3

SI3421DV-T1-GE3

VISHAY SI3421DV-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -8А; Idm: -50А..

0.00 грн.

SI3429EDV-T1-GE3

SI3429EDV-T1-GE3

VISHAY SI3429EDV-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -8А; Idm: -40А; 2,7Вт; TSOP6..

0.00 грн.

SI3433CDV-T1-E3

SI3433CDV-T1-E3

VISHAY SI3433CDV-T1-E3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -6А; Idm: -20А..

0.00 грн.

SI3433CDV-T1-GE3

SI3433CDV-T1-GE3

VISHAY SI3433CDV-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -6А; Idm: -20А..

0.00 грн.

SI3437DV-T1-E3

SI3437DV-T1-E3

VISHAY SI3437DV-T1-E3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -150В; -1,4А; Idm: -5А..

0.00 грн.

SI3437DV-T1-GE3

SI3437DV-T1-GE3

VISHAY SI3437DV-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -150В; -1,4А; Idm: -5А..

0.00 грн.

Показано з 1471 по 1485 із 2143 (143 сторінок)