Транзистори з каналом P SMD
SI2307BDS-T1-E3
VISHAY SI2307BDS-T1-E3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт..
0.00 грн.
SI2307CDS-T1-GE3
VISHAY SI2307CDS-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23..
0.00 грн.
SI2309CDS-T1-E3
VISHAY SI2309CDS-T1-E3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -1,3А; Idm: -8А..
0.00 грн.
SI2309CDS-T1-GE3
VISHAY SI2309CDS-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,3А; Idm: -8А; 1,7Вт; SOT23..
0.00 грн.
SI2315BDS-T1-E3
VISHAY SI2315BDS-T1-E3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -3А; Idm: -12А; 1,19Вт; SOT23..
0.00 грн.
SI2315BDS-T1-GE3
VISHAY SI2315BDS-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -3А; Idm: -12А; 1,19Вт; SOT23..
0.00 грн.
SI2319CDS-T1-BE3
VISHAY SI2319CDS-T1-BE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -4,4А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI2319CDS-T1-GE3
VISHAY SI2319CDS-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -3,5А; 1,6Вт; SOT23..
0.00 грн.
SI2319DDS-T1-GE3
VISHAY SI2319DDS-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -3,6А; Idm: -15А..
0.00 грн.
SI2319DS-T1-E3
VISHAY SI2319DS-T1-E3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А..
0.00 грн.
SI2319DS-T1-GE3
VISHAY SI2319DS-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А..
0.00 грн.
SI2323CDS-T1-BE3
VISHAY SI2323CDS-T1-BE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -4,6А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI2323CDS-T1-GE3
VISHAY SI2323CDS-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; Idm: -20А; 2,5Вт; SOT23..
0.00 грн.
SI2323DDS-T1-GE3
VISHAY SI2323DDS-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23..
0.00 грн.
SI2325DS-T1-E3
VISHAY SI2325DS-T1-E3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -0,43А; Idm: -1,6А; 0,48Вт..
0.00 грн.