Транзистори багатоканальні
SH8MA4TB1
ROHM SEMICONDUCTOR SH8MA4TB1 | Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 30/-30В; 9/-8,5А; Idm: 18А; 3Вт..
0.00 грн.
SH8MB5TB1
ROHM SEMICONDUCTOR SH8MB5TB1 | Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 40/-40В; 8,5/-8,5А; Idm: 34А; 2Вт..
0.00 грн.
SI1016CX-T1-GE3
VISHAY SI1016CX-T1-GE3 | Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; додаткова пара..
0.00 грн.
SI1016X-T1-GE3
VISHAY SI1016X-T1-GE3 | Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; додаткова пара..
0.00 грн.
SI1023CX-T1-GE3
VISHAY SI1023CX-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -0,45А..
0.00 грн.
SI1023X-T1-GE3
VISHAY SI1023X-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -20В; -0,39А..
0.00 грн.
SI1024X-T1-GE3
VISHAY SI1024X-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 0,515А; 0,28Вт..
0.00 грн.
SI1026X-T1-GE3
VISHAY SI1026X-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,22А; 0,13Вт; SC89,SOT563..
0.00 грн.
SI1029X-T1-GE3
VISHAY SI1029X-T1-GE3 | Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; додаткова пара..
0.00 грн.
SI1034CX-T1-GE3
VISHAY SI1034CX-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,49А; 0,14Вт; SC89,SOT563..
0.00 грн.
SI1036X-T1-GE3
VISHAY SI1036X-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 0,61А; Idm: 2А..
0.00 грн.
SI1539CDL-T1-GE3
VISHAY SI1539CDL-T1-GE3 | Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30/-30В; 0,7/-0,5А..
0.00 грн.
SI1553CDL-T1-GE3
VISHAY SI1553CDL-T1-GE3 | Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 0,7/-0,5А..
0.00 грн.
SI1900DL-T1-E3
VISHAY SI1900DL-T1-E3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 0,63А; Idm: 1А..
0.00 грн.
SI1900DL-T1-GE3
VISHAY SI1900DL-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 0,63А; Idm: 1А..
0.00 грн.