Транзистори з каналом P SMD

Транзистори з каналом P SMD

SQM100P10-19L_GE3

SQM100P10-19L_GE3

VISHAY SQM100P10-19L_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -53А; 125Вт; D2PAK,TO263..

0.00 грн.

SQM120P06-07L_GE3

SQM120P06-07L_GE3

VISHAY SQM120P06-07L_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -120А; Idm: -480А; 125Вт..

0.00 грн.

SQM120P10_10M1LGE3

SQM120P10_10M1LGE3

VISHAY SQM120P10_10M1LGE3 | Транзистор: P-MOSFET..

0.00 грн.

SQM40081EL_GE3

SQM40081EL_GE3

VISHAY SQM40081EL_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; P; 40В; 50А; 107Вт; D2PAK,TO263..

0.00 грн.

SQS141ELNW-T1_GE3

SQS141ELNW-T1_GE3

VISHAY SQS141ELNW-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -79А; Idm: -227А..

0.00 грн.

SQS401EN-T1_GE3

SQS401EN-T1_GE3

VISHAY SQS401EN-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -16А; Idm: -64А; 20Вт..

0.00 грн.

SQS405CENW-T1_GE3

SQS405CENW-T1_GE3

VISHAY SQS405CENW-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; 12В; 16А; 39Вт; PowerPAK® 1212-8..

0.00 грн.

SQS415ENW-T1_GE3

SQS415ENW-T1_GE3

VISHAY SQS415ENW-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; P; 40В; 16А; 62,5Вт; 1212..

0.00 грн.

SQS481ENW-T1_GE3

SQS481ENW-T1_GE3

VISHAY SQS481ENW-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; P; 150В; 4,7А; 62,5Вт; PowerPAK® 1212-8..

0.00 грн.

SSM3J130TU,LF(T

SSM3J130TU,LF(T

TOSHIBA SSM3J130TU,LF(T | Транзистор: P-MOSFET..

0.00 грн.

SSM3J134TU,LF(T

SSM3J134TU,LF(T

TOSHIBA SSM3J134TU,LF(T | Транзистор: P-MOSFET..

0.00 грн.

SSM3J16FS(TE85L,F)

SSM3J16FS(TE85L,F)

TOSHIBA SSM3J16FS(TE85L,F) | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,1А; 0,1Вт; SC75..

0.00 грн.

SSM3J327R,LF(B

SSM3J327R,LF(B

TOSHIBA SSM3J327R,LF(B | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,9А; 1Вт; SOT23F; ESD..

0.00 грн.

SSM3J328R,LF(T

SSM3J328R,LF(T

TOSHIBA SSM3J328R,LF(T | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; 1Вт; SOT23F; ESD..

0.00 грн.

SSM3J331R,LF

SSM3J331R,LF

TOSHIBA SSM3J331R,LF | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F..

0.00 грн.

Показано з 1831 по 1845 із 2143 (143 сторінок)