Транзистори з каналом N SMD

Транзистори з каналом N SMD

IXTY4N65X2

IXTY4N65X2

IXYS IXTY4N65X2 | Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 4А; 80Вт; TO252..

0.00 грн.

IXTY8N65X2

IXTY8N65X2

IXYS IXTY8N65X2 | Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 8А; 150Вт; TO252..

0.00 грн.

IXTY8N70X2

IXTY8N70X2

IXYS IXTY8N70X2 | Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 8А; 150Вт; TO252; 200нс..

0.00 грн.

LGE2300

LGE2300

LUGUANG ELECTRONIC LGE2300 | Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4А; 1,25Вт; SOT23..

0.00 грн.

LGE2302

LGE2302

LUGUANG ELECTRONIC LGE2302 | Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,1А; 0,35Вт; SOT23..

0.00 грн.

LGE2304

LGE2304

LUGUANG ELECTRONIC LGE2304 | Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,3А; 0,35Вт; SOT23..

0.00 грн.

LGE2312

LGE2312

LUGUANG ELECTRONIC LGE2312 | Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; SOT23..

0.00 грн.

LGE3M160120E

LGE3M160120E

LUGUANG ELECTRONIC LGE3M160120E | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт..

0.00 грн.

LGE3M80120J

LGE3M80120J

LUGUANG ELECTRONIC LGE3M80120J | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7..

0.00 грн.

LND01K1-G

LND01K1-G

MICROCHIP TECHNOLOGY LND01K1-G | Транзистор: N-MOSFET; польовий; 9В; 330мА; Idm: 0,6А; 0,36Вт..

0.00 грн.

LND150K1-G

LND150K1-G

MICROCHIP TECHNOLOGY LND150K1-G | Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13мА; Idm: 0,03А; 360мВт..

0.00 грн.

LND150N8-G

LND150N8-G

MICROCHIP TECHNOLOGY LND150N8-G | Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 30мА; Idm: 0,03А; 1,6Вт..

0.00 грн.

LND250K1-G

LND250K1-G

MICROCHIP TECHNOLOGY LND250K1-G | Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13мА; Idm: 30А; 0,36Вт..

0.00 грн.

LSIC1MO120T0080-TU

LSIC1MO120T0080-TU

LITTELFUSE LSIC1MO120T0080-TU | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; TO263-7..

0.00 грн.

LSIC1MO120T0120-TU

LSIC1MO120T0120-TU

LITTELFUSE LSIC1MO120T0120-TU | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; TO263-7..

0.00 грн.

Показано з 4666 по 4680 із 9117 (608 сторінок)