Транзистори з каналом P SMD
SI8489EDB-T2-E1
VISHAY SI8489EDB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -5,4А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI8497DB-T2-E1
VISHAY SI8497DB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -13А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI8499DB-T2-E1
VISHAY SI8499DB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -16А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI8817DB-T2-E1
VISHAY SI8817DB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -2,9А; Idm: -15А..
0.00 грн.
SI8819EDB-T2-E1
VISHAY SI8819EDB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -2,9А; Idm: -15А..
0.00 грн.
SI8821EDB-T2-E1
VISHAY SI8821EDB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -2,3А; Idm: -15А..
0.00 грн.
SI8823EDB-T2-E1
VISHAY SI8823EDB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -2,7А; Idm: -15А..
0.00 грн.
SI8851EDB-T2-E1
VISHAY SI8851EDB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -16,7А; Idm: -80А..
0.00 грн.
SI9407BDY-T1-E3
VISHAY SI9407BDY-T1-E3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI9407BDY-T1-GE3
VISHAY SI9407BDY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI9407BDY-T1-GE3
VISHAY SI9407BDY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI9433BDY-T1-E3
VISHAY SI9433BDY-T1-E3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -5А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI9433BDY-T1-E3
VISHAY SI9433BDY-T1-E3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -5А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI9433BDY-T1-GE3
VISHAY SI9433BDY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -5А; Idm: -20А..
0.00 грн.
SI9435BDY-T1-GE3
VISHAY SI9435BDY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -5,7А; Idm: -30А..
0.00 грн.