Транзистори з каналом P SMD

Транзистори з каналом P SMD

SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3

VISHAY SQD45P03-12_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -37А; 23Вт; DPAK,TO252..

0.00 грн.

SQD50P06-15L_GE3

SQD50P06-15L_GE3

VISHAY SQD50P06-15L_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -50А; Idm: -200А; 45Вт..

0.00 грн.

SQD50P08-28_GE3

SQD50P08-28_GE3

VISHAY SQD50P08-28_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -28А; Idm: -190А; 45Вт..

0.00 грн.

SQJ147ELP-T1_GE3

SQJ147ELP-T1_GE3

VISHAY SQJ147ELP-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET..

0.00 грн.

SQJ211ELP-T1_GE3

SQJ211ELP-T1_GE3

VISHAY SQJ211ELP-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; 100В; 33,6А; 68Вт; SO8; автомобільна галузь..

0.00 грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

VISHAY SQJ403BEEP-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; P; 30В; 30А; 68Вт; PowerPAK® SO8..

0.00 грн.

SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

VISHAY SQJ403BEEP-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 68Вт; PowerPAK® SO8..

0.00 грн.

SQJ409EP-T1_BE3

SQJ409EP-T1_BE3

VISHAY SQJ409EP-T1_BE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -60А; Idm: -150А..

0.00 грн.

SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

VISHAY SQJ409EP-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; P; 40В; 60А; 68Вт; PowerPAK® SO8..

0.00 грн.

SQJ431AEP-T1_BE3

SQJ431AEP-T1_BE3

VISHAY SQJ431AEP-T1_BE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -200В; -9,4А; Idm: -60А..

0.00 грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

VISHAY SQJ431AEP-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; автомобільна галузь..

0.00 грн.

SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

VISHAY SQJ431AEP-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET..

0.00 грн.

SQJ431EP-T1_GE3

SQJ431EP-T1_GE3

VISHAY SQJ431EP-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -12А; Idm: -40А; 27Вт..

0.00 грн.

SQJ443EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3

VISHAY SQJ443EP-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -23А; 28Вт; PowerPAK® SO8..

0.00 грн.

SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3

VISHAY SQJ457EP-T1_GE3 | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -36А; Idm: -100А; 22Вт..

0.00 грн.

Показано з 1906 по 1920 із 2265 (151 сторінок)