Транзистори з каналом P SMD
YJL3407AL
YANGJIE TECHNOLOGY YJL3407AL | Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; польовий; -30В; -3,2А..
0.00 грн.
YJQ15GP10A
YANGJIE TECHNOLOGY YJQ15GP10A | Транзистор: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; польовий; -100В; -9,5А..
0.00 грн.
YJQ3407A
YANGJIE TECHNOLOGY YJQ3407A | Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; польовий; -30В; -4,4А..
0.00 грн.
YJQ4666B
YANGJIE TECHNOLOGY YJQ4666B | Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; польовий; -16В; -5,6А..
0.00 грн.
YJS2022A
YANGJIE TECHNOLOGY YJS2022A | Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER MV; польовий; 20В; -10,4А; 3Вт..
0.00 грн.
YJS9435A
YANGJIE TECHNOLOGY YJS9435A | Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; польовий; -30В; -4,1А; SOP8..
0.00 грн.
ZVP0545GTA
DIODES INCORPORATED ZVP0545GTA | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -450В; -0,075А; Idm: -150мА; 2Вт..
0.00 грн.
ZVP1320FTA
DIODES INCORPORATED ZVP1320FTA | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -0,035А; 0,35Вт; SOT23..
0.00 грн.
ZVP2106GTA
DIODES INCORPORATED ZVP2106GTA | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,45А; 2Вт; SOT223..
0.00 грн.
ZVP2110GTA
DIODES INCORPORATED ZVP2110GTA | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -310мА; Idm: -3А; 2Вт; SOT22..
0.00 грн.
ZVP2120GTA
DIODES INCORPORATED ZVP2120GTA | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -200мА; Idm: -1,2А; 2Вт..
0.00 грн.
ZVP3306FTA
DIODES INCORPORATED ZVP3306FTA | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,6А; 0,33Вт; SOT23..
0.00 грн.
ZVP3310FTA
DIODES INCORPORATED ZVP3310FTA | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -140мА; Idm: -1,2А; 0,33Вт..
0.00 грн.
ZVP4424GTA
DIODES INCORPORATED ZVP4424GTA | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -240В; -0,48А; 2,5Вт; SOT223..
0.00 грн.
ZVP4424ZTA
DIODES INCORPORATED ZVP4424ZTA | Транзистор: P-MOSFET; польовий; -240В; -0,2А; 1,5Вт; SOT89..
0.00 грн.