• IXBT10N170

IXYS IXBT10N170 | Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268

IXBT10N170

  • Виробник: IXYS
  • Модель: IXBT10N170
  • Наявність: 2-3 Days
  • 0.00 грн.