LUGUANG ELECTRONIC LGE3M1K170B | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 69Вт

LGE3M1K170B

  • Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
  • Модель: LGE3M1K170B
  • Наявність: 2-3 Days
  • 0.00 грн.