VISHAY SI4477DY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -26,6А; Idm: -60А
SI4477DY-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SI4477DY-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 2500
VISHAY SI4477DY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -26,6А; Idm: -60А