VISHAY SI8497DB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -13А; Idm: -20А
SI8497DB-T2-E1
- Виробник: VISHAY
- Модель: SI8497DB-T2-E1
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SI8497DB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -13А; Idm: -20А