VISHAY SI8819EDB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -2,9А; Idm: -15А
SI8819EDB-T2-E1
- Виробник: VISHAY
- Модель: SI8819EDB-T2-E1
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SI8819EDB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -2,9А; Idm: -15А