VISHAY SIR167DP-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -60А; Idm: -120А
SIR167DP-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIR167DP-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIR167DP-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -60А; Idm: -120А