ONSEMI NTBG1000N170M1 | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 3А; Idm: 14,6А; 25Вт
NTBG1000N170M1
- Виробник: ONSEMI
- Модель: NTBG1000N170M1
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 800
ONSEMI NTBG1000N170M1 | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 3А; Idm: 14,6А; 25Вт