• SI2319DDS-T1-GE3

VISHAY SI2319DDS-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -3,6А; Idm: -15А

SI2319DDS-T1-GE3

  • Виробник: VISHAY
  • Модель: SI2319DDS-T1-GE3
  • Наявність: 2-3 Days
  • 0.00 грн.