VISHAY SI4101DY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -25,7А; Idm: -70А
SI4101DY-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SI4101DY-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 2500
VISHAY SI4101DY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -25,7А; Idm: -70А