VISHAY SI4909DY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -6,4А; Idm: -30А
SI4909DY-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SI4909DY-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 2500
VISHAY SI4909DY-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -6,4А; Idm: -30А