VISHAY SI8457DB-T1-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -10,2А; Idm: -25А
SI8457DB-T1-E1
- Виробник: VISHAY
- Модель: SI8457DB-T1-E1
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SI8457DB-T1-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -12В; -10,2А; Idm: -25А