VISHAY SIA429DJT-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -30А
SIA429DJT-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIA429DJT-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIA429DJT-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -30А