VISHAY SIR410DP-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 35А; Idm: 60А; 36Вт
SIR410DP-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIR410DP-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIR410DP-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 35А; Idm: 60А; 36Вт