VISHAY SIR618DP-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 14,2А; Idm: 30А
SIR618DP-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIR618DP-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIR618DP-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 14,2А; Idm: 30А