VISHAY SIR662DP-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 100А; Idm: 350А
SIR662DP-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIR662DP-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIR662DP-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 100А; Idm: 350А