LUGUANG ELECTRONIC LGE3M45170B | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт

LGE3M45170B

  • Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
  • Модель: LGE3M45170B
  • Наявність: 2-3 Days
  • 0.00 грн.