VISHAY SIA910EDJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 12В; 4,5А; Idm: 20А
SIA910EDJ-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIA910EDJ-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIA910EDJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 12В; 4,5А; Idm: 20А