VISHAY SIA918EDJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,5А; Idm: 15А
SIA918EDJ-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIA918EDJ-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIA918EDJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 30В; 4,5А; Idm: 15А