VISHAY SIA938DJT-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 4,5А; Idm: 30А
SIA938DJT-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIA938DJT-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIA938DJT-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 4,5А; Idm: 30А