VISHAY SISS5808DN-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 66,6А; Idm: 150А
SISS5808DN-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SISS5808DN-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 6000
VISHAY SISS5808DN-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 66,6А; Idm: 150А