ONSEMI NTBG028N170M1 | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 53А; Idm: 195А; 214Вт
NTBG028N170M1
- Виробник: ONSEMI
- Модель: NTBG028N170M1
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 800
ONSEMI NTBG028N170M1 | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 53А; Idm: 195А; 214Вт