VISHAY SI2306BDS-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А
SI2306BDS-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SI2306BDS-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SI2306BDS-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А