VISHAY SI7190DP-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 250В; 18,4А; Idm: 30А
SI7190DP-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SI7190DP-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SI7190DP-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 250В; 18,4А; Idm: 30А