VISHAY SI8806DB-T2-E1 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12В; 3,9А; Idm: 20А
SI8806DB-T2-E1
- Виробник: VISHAY
- Модель: SI8806DB-T2-E1
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SI8806DB-T2-E1 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12В; 3,9А; Idm: 20А