VISHAY SI8810EDB-T2-E1 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 2,9А; Idm: 15А
SI8810EDB-T2-E1
- Виробник: VISHAY
- Модель: SI8810EDB-T2-E1
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SI8810EDB-T2-E1 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 2,9А; Idm: 15А