VISHAY SIA112LDJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 8,8А; Idm: 10А
SIA112LDJ-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIA112LDJ-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 6000
VISHAY SIA112LDJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 8,8А; Idm: 10А