VISHAY SIB912DK-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 1,5А; Idm: 5А; 2Вт
SIB912DK-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIB912DK-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIB912DK-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 1,5А; Idm: 5А; 2Вт