VISHAY SIDR510EP-T1-RE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 148А; Idm: 300А
SIDR510EP-T1-RE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIDR510EP-T1-RE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIDR510EP-T1-RE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 148А; Idm: 300А