VISHAY SIJ186DP-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 79,4А; Idm: 150А
SIJ186DP-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIJ186DP-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIJ186DP-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 79,4А; Idm: 150А