VISHAY SIR616DP-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 20,2А; Idm: 50А
SIR616DP-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIR616DP-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIR616DP-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 20,2А; Idm: 50А