VISHAY SIS606BDN-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 28,2А; Idm: 80А

SIS606BDN-T1-GE3

  • Виробник: VISHAY
  • Модель: SIS606BDN-T1-GE3
  • Наявність: 2-3 Days
  • 0.00 грн.