Транзистори з каналом N SMD
SI8800EDB-T2-E1
VISHAY SI8800EDB-T2-E1 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 2,8А; Idm: 15А..
0.00 грн.
SI8802DB-T2-E1
VISHAY SI8802DB-T2-E1 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 8В; 3,5А; Idm: 15А..
0.00 грн.
SI8806DB-T2-E1
VISHAY SI8806DB-T2-E1 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12В; 3,9А; Idm: 20А..
0.00 грн.
SI8808DB-T2-E1
VISHAY SI8808DB-T2-E1 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 2,5А; Idm: 10А..
0.00 грн.
SI8810EDB-T2-E1
VISHAY SI8810EDB-T2-E1 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 2,9А; Idm: 15А..
0.00 грн.
SI8812DB-T2-E1
VISHAY SI8812DB-T2-E1 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 3,2А; Idm: 20А..
0.00 грн.
SI8816EDB-T2-E1
VISHAY SI8816EDB-T2-E1 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 2,3А; Idm: 8А..
0.00 грн.
SI8824EDB-T2-E1
VISHAY SI8824EDB-T2-E1 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 2,9А; Idm: 15А..
0.00 грн.
SI9945BDY-T1-GE3
VISHAY SI9945BDY-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 5,3А; Idm: 20А; 2Вт..
0.00 грн.
SIA106DJ-T1-GE3
VISHAY SIA106DJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 12А; Idm: 40А; 19Вт..
0.00 грн.
SIA108DJ-T1-GE3
VISHAY SIA108DJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 80В; 12А; Idm: 30А; 19Вт..
0.00 грн.
SIA110DJ-T1-GE3
VISHAY SIA110DJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 12А; Idm: 20А..
0.00 грн.
SIA112LDJ-T1-GE3
VISHAY SIA112LDJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 8,8А; Idm: 10А..
0.00 грн.
SIA400EDJ-T1-GE3
VISHAY SIA400EDJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А..
0.00 грн.
SIA414DJ-T1-GE3
VISHAY SIA414DJ-T1-GE3 | Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 8В; 12А; Idm: 40А; 19Вт..
0.00 грн.