Транзистори з каналом N THT
J112-D26Z
ONSEMI J112-D26Z | Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА..
0.00 грн.
J112-D27Z
ONSEMI J112-D27Z | Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА..
0.00 грн.
J112-D74Z
ONSEMI J112-D74Z | Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА..
0.00 грн.
LET9120
STMicroelectronics LET9120 | Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 80В; 18А; 200Вт; M246; 18дБ; 70%..
0.00 грн.
LGE3M14120Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M14120Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт..
0.00 грн.
LGE3M160120B
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M160120B | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 14А; Idm: 48А; 134Вт..
0.00 грн.
LGE3M160120Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M160120Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 16А; Idm: 50А; 138Вт..
0.00 грн.
LGE3M18120Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M18120Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 220А; 428Вт..
0.00 грн.
LGE3M1K170B
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M1K170B | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 3,5А; Idm: 6А; 69Вт..
0.00 грн.
LGE3M20120Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M20120Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4..
0.00 грн.
LGE3M25120Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M25120Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт..
0.00 грн.
LGE3M28065Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M28065Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 67А; Idm: 211А; 326Вт..
0.00 грн.