Транзистори з каналом N THT
LGE3M30065B
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M30065B | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 64А; Idm: 212А; 326Вт..
0.00 грн.
LGE3M30065Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M30065Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 54А; Idm: 170А; 300Вт..
0.00 грн.
LGE3M35065Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M35065Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 40А; Idm: 130А; 370Вт..
0.00 грн.
LGE3M35120Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M35120Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 44А; Idm: 130А; 300Вт..
0.00 грн.
LGE3M40065B
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M40065B | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт..
0.00 грн.
LGE3M40065Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M40065Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 58А; Idm: 180А; 348Вт..
0.00 грн.
LGE3M40120Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M40120Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 117А; 300Вт..
0.00 грн.
LGE3M45170B
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M45170B | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт..
0.00 грн.
LGE3M45170Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M45170Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 48А; Idm: 160А; 520Вт..
0.00 грн.
LGE3M50120B
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M50120B | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 327Вт..
0.00 грн.
LGE3M50120Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M50120Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 43А; Idm: 145А; 344Вт..
0.00 грн.
LGE3M60065Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M60065Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 36А; Idm: 97А; 208Вт..
0.00 грн.
LGE3M70120Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M70120Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 85А; 200Вт..
0.00 грн.
LGE3M80120B
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M80120B | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 28А; Idm: 80А; 208Вт..
0.00 грн.
LGE3M80120Q
LUGUANG ELECTRONIC LGE3M80120Q | Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 31А; Idm: 70А; 300Вт..
0.00 грн.