VISHAY SI8409DB-T1-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,3А; Idm: -25А
SI8409DB-T1-E1
- Виробник: VISHAY
- Модель: SI8409DB-T1-E1
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SI8409DB-T1-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,3А; Idm: -25А