VISHAY SI8489EDB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -5,4А; Idm: -20А
SI8489EDB-T2-E1
- Виробник: VISHAY
- Модель: SI8489EDB-T2-E1
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SI8489EDB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -5,4А; Idm: -20А