VISHAY SI8851EDB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -16,7А; Idm: -80А
SI8851EDB-T2-E1
- Виробник: VISHAY
- Модель: SI8851EDB-T2-E1
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SI8851EDB-T2-E1 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -16,7А; Idm: -80А