VISHAY SIA445EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -50А
SIA445EDJ-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIA445EDJ-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIA445EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -12А; Idm: -50А