VISHAY SIA459EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -9А; Idm: -40А
SIA459EDJ-T1-GE3
- Виробник: VISHAY
- Модель: SIA459EDJ-T1-GE3
- Наявність: 2-3 Days
-
0.00 грн.
Мінімальна кількість для замовлення: 3000
VISHAY SIA459EDJ-T1-GE3 | Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -9А; Idm: -40А